工業型設備
研發型設備
ALD
Plasma Batch ALD
PBATCH 批次等離子體ALD
Thermal Batch ALD
CBATCH 100s 批次熱ALD
CBATCH 300s 批次熱ALD
12 inch ALD
QBT-A 300 CLUSTER 高真空等離子體 ALD 集群系統
CVD
MPCVD 金剛石CVD
Epitaxy
SICE-Y8 碳化硅外延CVD系統
Powder ALD/CVD
KG 工業級粉末ALD
SCA 工業級粉末CVD
PVD
QBT-J 300 超高真空互聯多腔體互聯約瑟夫森結制造系統
Single Wafer ALD
QBT-ADS 雙腔高真空雙面鍍膜PEALD設備
QBT-A 雙腔室高真空等離子體ALD
MINI 科研型桌式ALD
Sputter
單陰極垂直濺射系列
PVD100 雙腔室高真空磁控濺射系統
QBT-P 雙腔室超高真空磁控濺射系統
QBT-P L3 三腔室超高真空磁控濺射系統
多陰極垂直濺射系列
QBT-MPV 雙腔室多靶槍公轉超高真空磁控濺射系統
多陰極共聚焦濺射系列
QBT-MPC 2000 雙腔室多靶槍共聚焦超高真空磁控濺射鍍膜系統
QBT-MPC 雙腔室多靶槍共聚焦超高真空磁控濺射系統
定制系列(MP L)
QBT-MP·L3 多腔室超高真空磁控濺射系統
Evaporator
QBT-J 四腔室雙傾角超高真空鍍膜系統
QBT-E 雙腔室超高真空電子束蒸發鍍膜系統
QBT-I 雙腔室高速鍍膜系統
Powder ALD
GM 研發型粉末ALD
QBT-T 雙腔室等離子體硅片及粉末ALD
應用領域
APPLICATIONS
先進光顯
半導體
新能源
前沿器件應用
韞茂碳化硅外延 CVD 設備、金剛石 MPCVD 設備、PECVD,分別服務于第三代、第四代以及硅基集成電路半導體市場,依托自主研發的 20 余項核心專利技術,公司在關鍵工藝模塊創新、反應腔體流場設計、原位監測系統等領域形成技術壁壘,在高頻、功率器件、MEMS、內存芯片領域展現出色的性能和穩定性,推動了新一代半導體材料和器件的研發和應用。隨著全球半導體產業向寬禁帶材料轉型,韞茂持續深化與頭部客戶的戰略合作,通過定制化設備解決方案加速新一代半導體材料及器件的產業化進程。
相關產品
SICE-Y6/8的SiC外延工藝兼容6英寸和8英寸,可實現P&N型摻雜。反應腔采用水平熱壁式設計,自有五路進氣噴嘴和多元混氣設計,形成穩定均勻流場;反應腔采用感應線圈加熱,提供均勻溫場,從而確保優異工藝指標。
可實現高質量金剛石單晶、多晶薄膜生長,用于核心的第四代寬禁帶半導體器件制造。