應用領域
APPLICATIONS
前沿器件應用
超高真空薄膜沉積設備，具備超高真空背景環境(10-9~10-11 Torr), 可實現在超潔凈的環境中高質量的薄膜沉積。韞茂超高真空設備平臺，包括物理氣相沉積設備和原子層沉積設備。其中，物理氣相沉積設備包括：磁控濺射設備和蒸發設備，可廣泛應用于超 導 電 子 器 件、光 學 微 納 器 件、自 旋 電 子 芯 片、2.5/3D 芯片封裝、鐵電材料芯片、存儲芯片以及能源存儲器件等領域。通過對晶圓執行高精度的運動和溫度調控以及腔室真空系統的專業設計，韞茂超高真空設備平臺可實現高均勻性、優異結晶性以及超平整表面的高質量薄膜沉積，為各個領域的器件制備提供先進的整體解決方案。
相關產品
QBT-A 雙腔室高真空等離子體ALD
高真空等離子體增強原子層沉積系統QBT-A，是國內首家適用于高端研發及生產制造的HV-PEALD。QBT-A主要應用于高質量ALD薄膜沉積制備（氧化物、氮化物、金屬單質），高真空設計降低系統泄露率，配備無氧陶瓷等離子發生器、氣體鈍化器、4路雙管源瓶。它能夠實現超低射頻電路損耗、高深寬比TSV 填充、超低氧含量（<0.5%）。
QBT-P 雙腔室超高真空磁控濺射系統
具備超高真空背景環境，全自動操作，可實現高質量薄膜沉積，目前韞茂QBT-P磁控濺射系列可生長出高質量α相鉭膜，在高溫和常溫下都可以得到高質量的鉭膜，鉭膜的Tc超過4.25 K，并且剩余電阻比大于6。 用韞茂QBT-P 系列制備的Ta可實現低損耗的超導電路制備，單光子品質因數超過100萬，且對應的量子比特相干時間超過250μs
QBT-J 四腔室雙傾角超高真空鍍膜系統
采用線性級聯技術，集成了進樣/預處理、離子銑、蒸發以及氧化四個腔室。整套系統全自動運行，操作簡單，易于維護，并且采用抓取傳送方式，減少了顆粒物的產生。基于QBT-J系列，客戶可研發出高質量的超導器件，在諸多領域有廣泛的應用前景。
QBT-E 雙腔室超高真空電子束蒸發鍍膜系統
標準化的鍍膜系統，超高真空環境可以實現高質量的薄膜沉積：金屬、介電材料、光學薄膜、磁性薄膜等。樣品操作包括傾斜和旋轉，或Z軸移動和旋轉，從而能夠制備三維結構。
QBT-T 雙腔室等離子體硅片及粉末ALD
用于微納加工，粉末或極片包覆。
QBT-P L3 三腔室超高真空磁控濺射系統
QBT-P L3 包含三個工藝腔體，比 QBT-P 多一個濺射腔，能夠制備多層結構，如 Nb/Al-AlOx/Nb、Al/AlOx/Al，甚至是 α-Ta/TaOx/α-Ta。該系統同樣兼容基于種子層的工藝。
