工業(yè)型設(shè)備
研發(fā)型設(shè)備
ALD
Plasma Batch ALD
PBATCH 批次等離子體ALD
Thermal Batch ALD
CBATCH 100s 批次熱ALD
CBATCH 300s 批次熱ALD
12 inch ALD
QBT-A 300 CLUSTER 高真空等離子體 ALD 集群系統(tǒng)
CVD
MPCVD 金剛石CVD
Epitaxy
SICE-Y8 碳化硅外延CVD系統(tǒng)
Powder ALD/CVD
KG 工業(yè)級(jí)粉末ALD
SCA 工業(yè)級(jí)粉末CVD
PVD
QBT-J 300 超高真空互聯(lián)多腔體互聯(lián)約瑟夫森結(jié)制造系統(tǒng)
Single Wafer ALD
QBT-ADS 雙腔高真空雙面鍍膜PEALD設(shè)備
QBT-A 雙腔室高真空等離子體ALD
MINI 科研型桌式ALD
Sputter
單陰極垂直濺射系列
PVD100 雙腔室高真空磁控濺射系統(tǒng)
QBT-P 雙腔室超高真空磁控濺射系統(tǒng)
QBT-P L3 三腔室超高真空磁控濺射系統(tǒng)
多陰極垂直濺射系列
QBT-MPV 雙腔室多靶槍公轉(zhuǎn)超高真空磁控濺射系統(tǒng)
多陰極共聚焦濺射系列
QBT-MPC 2000 雙腔室多靶槍共聚焦超高真空磁控濺射鍍膜系統(tǒng)
QBT-MPC 雙腔室多靶槍共聚焦超高真空磁控濺射系統(tǒng)
定制系列(MP L)
QBT-MP·L3 多腔室超高真空磁控濺射系統(tǒng)
Evaporator
QBT-J 四腔室雙傾角超高真空鍍膜系統(tǒng)
QBT-E 雙腔室超高真空電子束蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)
QBT-I 雙腔室高速鍍膜系統(tǒng)
Powder ALD
GM 研發(fā)型粉末ALD
QBT-T 雙腔室等離子體硅片及粉末ALD
產(chǎn)品
PRODUCT
產(chǎn)品分類
Epitaxy 相關(guān)產(chǎn)品
SICE-Y6/8的SiC外延工藝兼容6英寸和8英寸,可實(shí)現(xiàn)P&N型摻雜。反應(yīng)腔采用水平熱壁式設(shè)計(jì),自有五路進(jìn)氣噴嘴和多元混氣設(shè)計(jì),形成穩(wěn)定均勻流場;反應(yīng)腔采用感應(yīng)線圈加熱,提供均勻溫場,從而確保優(yōu)異工藝指標(biāo)。