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ALD
原子層沉積（atomic layer deposition,ALD）,是一種特殊的化學氣相沉積技術，是通過將氣相前驅體脈沖 交替通入反應腔室并在沉積基體表面發生化學吸附反應形成薄膜的一種方法具有優異的三維共型性，均勻性 精確的納米級膜厚控制等特點。
以經典的三甲基鋁與水反應生成氧化鋁為例：
半反應a：-OH? + Al(CH3)3(g ) → - O - Al(CH3)2? + CH4(g)
半反應b：- O - Al(CH3)2 + 2H2O(g) → - O - Al(OH)2? + 2CH4(g)
總反應：2Al(CH3)3 + 3H2O → Al2O3 + 6CH4
ALD作為一種新型的化學氣相包覆手段，能夠實現對被包覆材料不規則表面的完全賦型包覆它具有如下特點：
線性可控的包覆層厚度，0.1~0.2nm/cycle；
包覆層均勻且致密；
低溫生長，部分薄膜可室溫下生長；
可多組分疊層結構生長；
包覆材料選擇多樣性。
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