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單陰極垂直濺射系列
PVD100 雙腔室高真空磁控濺射系統
PVD-100 包含兩個超高真空腔體：進樣腔和磁控濺射腔，全自動化人機操作界面，采用單靶槍垂直向下濺射方案，支持射頻和直流電源，可用于沉積金屬或非金屬材料。
QBT-P 雙腔室超高真空磁控濺射系統
具備超高真空背景環境，全自動操作，可實現高質量薄膜沉積，目前韞茂QBT-P磁控濺射系列可生長出高質量α相鉭膜，在高溫和常溫下都可以得到高質量的鉭膜，鉭膜的Tc超過4.25 K，并且剩余電阻比大于6。 用韞茂QBT-P 系列制備的Ta可實現低損耗的超導電路制備，單光子品質因數超過100萬，且對應的量子比特相干時間超過250μs
QBT-P L3 三腔室超高真空磁控濺射系統
QBT-P L3 包含三個工藝腔體。它比 QBT-P 多一個濺射腔，能夠制備多層結構，如 Nb/Al-AlOx/Nb、Al/AlOx/Al，甚至是 α-Ta/TaOx/α-Ta。該系統同樣兼容基于種子層的工藝。
多陰極共聚焦濺射系列
QBT-MPC 2000 雙腔室多靶槍共聚焦超高真空磁控濺射鍍膜系統
主要用于高質量低微波損耗超導薄膜的生長，助力高性能超導量子芯片的研發，同時可用于超薄多層合金的磁性薄膜生長和高質量磁性隧道結的制備。該產品所用小型靶材系列可幫助科研工作者在柔性襯底上生長高質量的ITO薄膜生長或者產業LED芯片制造過程中的光學薄膜生長。
QBT-MPC 雙腔室多靶槍共聚焦超高真空磁控濺射系統
QBT-MPC 包含兩個超高真空腔體, 進樣腔和磁控濺射腔，配備全自動化人機操作界面。該系統配備了多個濺射靶槍，并且可進行原位傾斜，用于共聚焦濺射工藝。QBT-MPC 是最先進的濺射系統，可以用于多個材料領域，例如自旋電子器件、拓撲材料、相變材料、超導材料等。
