QBT-MPC 2000 雙腔室多靶槍共聚焦超高真空磁控濺射鍍膜系統
產品概況
主要用于高質量低微波損耗超導薄膜的生長，助力高性能超導量子芯片的研發，同時可用于超薄多層合金的磁性薄膜生長和高質量磁性隧道結的制備。最后該產品所用小型靶材系列可幫助科研工作者在柔性襯底上生長高質量的ITO薄膜生長或者產業LED芯片制造過程中的光學薄膜生長。
技術參數
進樣腔極限真空：5E-9 Torr
濺射腔極限真空：3E-10 Torr
鍍膜均勻性：去邊5mm RU<±2%
濺射沉積溫度：加熱器最高900℃
晶圓尺寸：最多兼容4英寸晶圓，并向下兼容
工藝展示
Nb XRD
Tc
相關產品
QBT-MPV 雙腔室多靶槍公轉超高真空磁控濺射系統
QBT-MPV 為QBT-P的升級版系統。較于QBT-P，QBT-MPV在一個濺射腔中可最多包含4個靶槍（按需），可進行多層工藝，例如Nb/Al-AlOx/Nb, Al/AlOx/Al, 或者 α-Ta/TaOx/α-Ta。該系統同樣兼容基于種子層的工藝。
QBT-MPC 雙腔室多靶槍共聚焦超高真空磁控濺射系統
QBT-MPC 包含兩個超高真空腔體, 進樣腔和磁控濺射腔，配備全自動化人機操作界面。該系統配備了多個濺射靶槍，并且可進行原位傾斜，用于共聚焦濺射工藝。QBT-MPC 是最先進的濺射系統，可以用于多個材料領域，例如自旋電子器件、拓撲材料、相變材料、超導材料等。
QBT-MP·L3 多腔室超高真空磁控濺射系統
