QBT-ADS 雙腔高真空雙面鍍膜PEALD設備
產品概況
QBT-ADS以超高真空（UHV）設計為核心技術亮點，通過優化腔室密封結構，大幅降低系統泄漏率，有效抑制雜質混入，從源頭保障薄膜純度，尤其能顯著降低薄膜中氧雜質含量，精準匹配高端器件對薄膜質量的嚴苛要求。設備升級采用雙面鍍膜專屬設計，可實現樣品雙面同步均勻沉積，無需二次翻面操作，大幅提升生產效率與薄膜一致性，適配對雙面薄膜性能均有嚴格要求的高端應用場景；同時搭載全自動傳片系統，實現樣品傳輸全程無人工干預，既提升作業效率，從根本上避免人為操作帶來的污染隱患。
產品參數
1、工藝溫度：RT~500°C
2、工藝腔本底真空：＜5E-8Torr
3、離子源：UHV ICP SOURCE
4、前驅體：4 x 500ml 雙管源瓶
5、樣品尺寸：UP to 8 inch
6、工藝性能：雙面和過孔均可實現超導，超導轉變溫度Tc>5k，臨界電流密度Ic>15mA/um2
