QBT-A 300 CLUSTER 高真空等離子體 ALD 集群系統(tǒng)
產(chǎn)品概況
QBT-A300 Cluster 作為QBT-A系列升級產(chǎn)品，兼顧研發(fā)與量產(chǎn)雙重需求,全面延續(xù)其成熟穩(wěn)定的工藝性能，支持熱法、PE兩種模式，始終保持低氧含量薄膜沉積的核心優(yōu)勢。核心升級兩大關(guān)鍵配置：一是引入超高真空傳輸平臺，優(yōu)化樣品傳輸真空環(huán)境，隔離污染、降低雜質(zhì)含量，強(qiáng)化氧雜質(zhì)抑制，為高端薄膜制備提供可靠保障；二是搭載2 foup的Efem（前端模塊）系統(tǒng)，大幅提升傳輸效率與自動化水平，實(shí)現(xiàn)多批次樣品高效流轉(zhuǎn)，適配中試及量產(chǎn)需求。
技術(shù)參數(shù)
漏率：小于1x10-9atm cc/s(He)
進(jìn)樣室本底真空：≤ 5x10-6Torr
傳輸室本底真空：≤ 9x10-8Torr
工藝室本底真空：≤ 5x10-8Torr
樣品加熱溫度：>450℃
鍍膜均勻性：<3% （熱法沉積 50 nm TiN） ；<4%（PE沉積 50 nm TiN）
