Multi Pbatch 批次等離子體ALD
產品概況
Multi Pbatch ALD設備可在極寬的溫度窗口(50℃-300℃)內，實現高質量的等離子體增強原子層薄膜沉積工藝，并兼容純熱式原子層薄膜沉積工藝。可在4、6、8、12英寸硅晶圓、化合物晶圓、玻璃晶圓、玻璃鏡片、有機高分子鏡片、金屬或陶瓷等材質的基底沉積SiO2、Al2O3、TiO2、ZrO2、Ta2O5、AlN、TiN等高質量的薄膜。該設備具有極優的鍍膜均勻性、重復性及可靠性，同時兼顧優異的產能、良率，及成本控制。
技術優勢
12英寸范圍內膜厚不均勻性<2.0%, 批次內膜厚不均勻性<2.5%，批次間膜厚差異<2.5%.
一批次可裝載20盤12英寸的光學鏡片載盤；或一批次裝載25片12英寸的晶圓。
等離子體輔助成膜，可進行低溫沉積工藝，工藝溫度覆蓋50℃至300℃.
批次式多層載盤設備，大幅提高設備的產能。
可兼容晶圓、光學鏡片、球體/半球/非球面/多面體/圓柱/光纖、電路板、電子元器件等鍍膜。
可根據樣品尺寸和形態，定制載盤方案。
可在整個樣品的外表面及3D 微納結構上進行保形沉積
可在同一工藝腔室內實現等離子體清洗，及SiO2、Al2O3、TiO2、 ZrO2、Ta2O5、AlN、TiN不同薄膜的任意組合交替沉積。
可選配自動化傳輸及手動傳輸方案。
