QBT-P300 Cluster 超高真空磁控濺射集群系統
產品概況
具備超高真空背景環境，全自動操作，可在高溫和常溫下實現高質量鉭膜生長，鉭膜的Tc超過4.25 K，剩余電阻比大于6，用于制備低損耗超導電路，單光子品質因數超過100萬，且對應的量子比特相干時間超過250μs。
技術優勢
晶圓尺寸：最大兼容12英寸，并向下兼容
進樣腔極限真空：≤5E-9 Torr
濺射腔極限真空：≤5E-10 Torr
鍍膜均勻性：<2%
IM腔刻蝕均勻性：1δ<5%
濺射沉積溫度：0-900℃
手動放樣，全自動傳輸
腔體采用316L不銹鋼材質，電解拋光工藝
濺射腔體采用進口冷泵，極限真空≤3E-9Torr
全自動靶基距調整（60mm-140mm）
