QBT-A 雙腔室高真空等離子體ALD
產品概況
高真空等離子體增強原子層沉積系統QBT-A，是國內首家適用于高端研發及生產制造的HV-PEALD。QBT-A主要應用于高質量ALD薄膜沉積制備（氧化物、氮化物、金屬單質），高真空設計降低系統泄露率，配備無氧陶瓷等離子發生器、氣體鈍化器、4路雙管源瓶。它能夠實現超低射頻電路損耗、高深寬比TSV 填充、超低氧含量（<0.5%）。
技術優勢
工藝腔極限真空：<5E-8Torr
高精準樣品加熱控制：RT-500±1oC
等離子體：最大600W射頻（RF）自匹配電源
臭氧發生器：可選配，生產效率15g/h
最大基板尺寸：Ф200mm，氧化鋁均勻性<1%
前驅體：最大可包括3組等離子體反應氣體 4組液態或固態反應前驅體
應用領域
FAQ
QBT-A可以做哪些工藝？
TiN、SiN、AlN、NbN等氮化物、SiO2、Al2O3、HfO2、TiO2等氧化物、Mo、Cu
QBT-A可以做多大尺寸的wafer？
8寸及以下
QBT-A的氮化物薄膜含氧量可以做到多低？
配備分子泵，極限真空達5E-8torr以下，并配備氣體純化器，氮化物薄膜的氧量≤0.5%
QBT-A的PE-TiN常溫電阻率可以做到多低？
30nm?PE-TiN常溫電阻率≤70μΩ-cm
QBT-A的NbN薄膜超導臨界溫度可以做到多少K?
20nm?NbN薄膜的Tc可以做到14K
