QBT-P 雙腔室超高真空磁控濺射系統
產品概況
具備超高真空背景環境，全自動操作，可實現高質量薄膜沉積，目前韞茂QBT-P磁控濺射系列可生長出高質量α相鉭膜，在高溫和常溫下都可以得到高質量的鉭膜，鉭膜的Tc超過4.25 K，并且剩余電阻比大于6。 用韞茂QBT-P 系列制備的Ta可實現低損耗的超導電路制備，單光子品質因數超過100萬，且對應的量子比特相干時間超過250μs
技術優勢
基板加熱：RT-900oC
晶圓尺寸：最大支持12寸晶圓，并向下兼容
排氣速率：從ATM到1E-7Torr<20min (loadlock)
磁控濺射：直流（DC）或射頻（RF）電源, 基板與靶材距離連續可調
超高真空腔體：2個超高真空腔體,包括Loadlock及Sputtering, 極限真空<3E-9Torr
離子束刻蝕不均勻性：8英寸晶圓，刻蝕不均勻性<±5% （去邊 5mm）
預處理功能：薄膜表面鈍化，射頻等離子體清洗，300℃高溫除氣
鍍膜均勻性：8英寸晶圓，不均勻性<±5% （去邊5 mm）
人機界面：全自動化人機操作界面
