QBT-J 四腔室雙傾角超高真空鍍膜系統(tǒng)
產(chǎn)品概況
采用線性級聯(lián)技術(shù)，集成了進樣/預處理、離子銑、蒸發(fā)以及氧化四個腔室。整套系統(tǒng)全自動運行，操作簡單，易于維護，并且采用抓取傳送方式，減少了顆粒物的產(chǎn)生。基于QBT-J系列，客戶可研發(fā)出高質(zhì)量的超導器件，在諸多領(lǐng)域有廣泛的應用前景。
技術(shù)優(yōu)勢
超高真空腔體：4個超高真空腔體,包括進樣腔，離子束刻蝕腔，蒸發(fā)腔，氧化腔
基板加熱：RT-900oC
晶圓尺寸：最大支持8英寸晶圓，并且向下兼容
氧化：支持不同壓力等級的動態(tài)氧化和靜態(tài)氧化
電子束蒸發(fā)源：超高真空密封多束袋電子束蒸發(fā)源
鍍膜均勻性：8英寸晶圓，鍍膜不均勻性<±2% （去邊 5mm）
離子束刻蝕：8英寸晶圓，刻蝕不均勻性<±5% （去邊 5mm）
基板操控能力：可實現(xiàn)180度傾斜及360度旋轉(zhuǎn)，0.1度的精準控制
