QBT-E 雙腔室超高真空電子束蒸發鍍膜系統
產品概況
標準化的鍍膜系統，超高真空環境可以實現高質量的薄膜沉積：金屬、介電材料、光學薄膜、磁性薄膜等。樣品操作包括傾斜和旋轉，或Z軸移動和旋轉，從而能夠制備三維結構。
技術優勢
超高真空腔體：有兩個腔室，進樣腔和蒸發腔
傳輸：全自動樣品傳輸
人機界面：全自動化人機操作界面
安全：工業標準安全互鎖，報警，EMO
晶圓尺寸：最大支持8英寸晶圓，并且向下兼容
鍍膜均勻性：8英寸晶圓，鍍膜不均勻性<±2% （去邊 5mm）
基板操控能力：可實現180度傾斜及360度旋轉，0.1度的精準控制，加熱RT-600oC，或者升降，自轉，可選配水冷、深冷(-70℃)或者液氮冷卻
應用領域
FAQ
QBT-E的氧化物薄膜厚度均勻性為多少？
Ti/SiO2 8inch膜厚均勻性小于3%
QBT-E的進樣腔和蒸發腔的極限真空分別是多少？
Loadlock極限真空<9E-9Torr；蒸發腔:極限真空<3E-9Torr
