工業型設備
研發型設備
ALD
Plasma Batch ALD
PBATCH 批次等離子體ALD
Thermal Batch ALD
CBATCH 100s 批次熱ALD
CBATCH 300s 批次熱ALD
12 inch ALD
QBT-A 300 CLUSTER 高真空等離子體 ALD 集群系統
CVD
MPCVD 金剛石CVD
Epitaxy
SICE-Y8 碳化硅外延CVD系統
Powder ALD/CVD
KG 工業級粉末ALD
SCA 工業級粉末CVD
PVD
QBT-J 300 超高真空互聯多腔體互聯約瑟夫森結制造系統
Single Wafer ALD
QBT-ADS 雙腔高真空雙面鍍膜PEALD設備
QBT-A 雙腔室高真空等離子體ALD
MINI 科研型桌式ALD
Sputter
單陰極垂直濺射系列
PVD100 雙腔室高真空磁控濺射系統
QBT-P 雙腔室超高真空磁控濺射系統
QBT-P L3 三腔室超高真空磁控濺射系統
多陰極垂直濺射系列
QBT-MPV 雙腔室多靶槍公轉超高真空磁控濺射系統
多陰極共聚焦濺射系列
QBT-MPC 2000 雙腔室多靶槍共聚焦超高真空磁控濺射鍍膜系統
QBT-MPC 雙腔室多靶槍共聚焦超高真空磁控濺射系統
定制系列(MP L)
QBT-MP·L3 多腔室超高真空磁控濺射系統
Evaporator
QBT-J 四腔室雙傾角超高真空鍍膜系統
QBT-E 雙腔室超高真空電子束蒸發鍍膜系統
QBT-I 雙腔室高速鍍膜系統
Powder ALD
GM 研發型粉末ALD
QBT-T 雙腔室等離子體硅片及粉末ALD
產品概況
SICE-Y6/8的SiC外延工藝兼容6英寸和8英寸,可實現P&N型摻雜。反應腔采用水平熱壁式設計,自有五路進氣噴嘴和多元混氣設計,形成穩定均勻流場;反應腔采用感應線圈加熱,提供均勻溫場,從而確保優異工藝指標。
技術優勢
熱壁感應加熱系統,溫場均勻
優異的產品指標,提高器件性能
多種混氣機制,提供多元工藝需求
高產出、低生產成本,投資回報最大化
產品分類
應用領域
電力電子領域
軌道交通領域
數據中心
下載中心
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