QBT-T 雙腔室等離子體硅片及粉末ALD
產品概況
用于微納加工,粉末或極片包覆。
技術優勢
腔體:雙腔體設計(1個硅片PEALD腔室,1個粉末ALD腔室),每個腔體獨立控制,雙倍產出
等離子體:最大3kW RF自匹配電源
最大基板尺寸:Ф150mm (可定制)
高精準樣品加熱控制:RT-300±1oC
臭氧發生器:可選配,生產效率15g/h
人機界面:全自動化人機操作界面
前驅體:最大可包括3組等離子體反應氣體 5組液態或固態反應前驅體
QBT-T 雙腔室等離子體硅片及粉末ALD
產品概況
用于微納加工,粉末或極片包覆。
技術優勢
腔體:雙腔體設計(1個硅片PEALD腔室,1個粉末ALD腔室),每個腔體獨立控制,雙倍產出
等離子體:最大3kW RF自匹配電源
最大基板尺寸:Ф150mm (可定制)
高精準樣品加熱控制:RT-300±1oC
臭氧發生器:可選配,生產效率15g/h
人機界面:全自動化人機操作界面
前驅體:最大可包括3組等離子體反應氣體 5組液態或固態反應前驅體