工業(yè)型設(shè)備
研發(fā)型設(shè)備
QBT-MPC 雙腔室多靶槍共聚焦超高真空磁控濺射系統(tǒng)
產(chǎn)品概況
QBT-MPC 包含兩個(gè)超高真空腔體, 進(jìn)樣腔和磁控濺射腔，配備全自動(dòng)化人機(jī)操作界面。該系統(tǒng)配備了多個(gè)濺射靶槍，并且可進(jìn)行原位傾斜，用于共濺射工藝。QBT-MPC 是最先進(jìn)的濺射系統(tǒng)，可以用于多個(gè)材料領(lǐng)域，例如自旋電子器件、拓?fù)洳牧稀⑾嘧儾牧稀⒊瑢?dǎo)材料等。
技術(shù)優(yōu)勢(shì)
工藝腔極限真空：≤3E-9 Torr
工藝溫度：0-1000°C（無氧環(huán)境）
晶圓尺寸：最大支持12寸晶圓，并且向下兼容
均勻性：8英寸晶圓，不均勻性<±3%（去邊5 mm）
濺射電源：2x1000W 直流電源（可以選射頻電源，按需定制）
鍍膜均勻性：薄膜電阻均勻性NU%<±3% (在8英寸晶圓上去除邊緣的5mm）
磁控靶槍：最多配置12 × 2 英寸靶槍, 5×4英寸靶槍, 7×3 英寸靶槍 (按需定制)
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具備超高真空背景環(huán)境，全自動(dòng)操作，可實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量薄膜沉積，目前韞茂QBT-P磁控濺射系列可生長(zhǎng)出高質(zhì)量α相鉭膜，在高溫和常溫下都可以得到高質(zhì)量的鉭膜，鉭膜的Tc超過4.25 K，并且剩余電阻比大于6。 用韞茂QBT-P 系列制備的Ta可實(shí)現(xiàn)低損耗的超導(dǎo)電路制備，單光子品質(zhì)因數(shù)超過100萬，且對(duì)應(yīng)的量子比特相干時(shí)間超過250μs
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