QBT-I雙腔室高速鍍膜系統(tǒng)
產(chǎn)品概況
QBT-I 是一款用于高速蒸鍍銦柱的熱蒸發(fā)系統(tǒng)。由于銦熔點較低，需要在低溫下沉積，因此該系統(tǒng)配備深冷，可將樣品冷卻至-70℃，以此保證銦柱表面的光滑。并且配備快速晶振更換模塊，可實現(xiàn)銦的連續(xù)沉積。此系統(tǒng)為倒裝芯片工藝和 3D 堆疊芯片技術(shù)提供了解決方案。
技術(shù)參數(shù)
進樣腔極限真空：5E-9 Torr
蒸發(fā)室極限真空：3E-9 Torr
鍍膜均勻性：150mm 厚1um 去邊5mm RU<±5%
樣品尺寸：最多兼容6英寸晶圓，并向下兼容
應用領域
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